teslacoil.pl
http://teslacoil.pl/

Szeregowe łączenie mosfet i IGBT
http://teslacoil.pl/inne-elektroniczne-cewki-tesli/szeregowe-laczenie-mosfet-i-igbt-t621.html
Strona 1 z 1

Autor:  Thor [ 2 wrz 2018, 11:03 ]
Tytuł:  Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Planuję zastąpić szczelinę iskrową rozwiązaniem jak w tytule. Czy ktoś ma jakieś doświadczenie praktyczne w tego typu rozwiązaniu albo chciałby podzielić się sugestiami...

Autor:  Mania-C [ 3 wrz 2018, 12:59 ]
Tytuł:  Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

jak tak zrobisz to wyjdzie Ci klasyczne OLTC. budowałem parokrotnie oltc ale na pojedynczym igbt. Uważam że będzie bardzo duży problem z przebiciami pomiędzy sterownikiem tranzystora 1 i tranzystora 2 itd.

Autor:  Thor [ 3 wrz 2018, 16:02 ]
Tytuł:  Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Też budowałem kilka wariantów OLTC i zastanawia mnie jedna rzecz, dlaczego przy kluczowaniu IGBT prąd i napięcie mają taki dziwny przebieg na obwodzie pierwotnym, tzn. zamiast narastając od zera i wykonując jeden pełny półokres od początku wyładowania, wartość napięcia i prądu jest maksymalna w połowie półokresu:

Czy ta różnica wynika z tego, że rezystancja przewodzenia IGBT jest znacznie niższa niż szczeliny iskrowej, czy pojemności pasożytniczej półprzewodnika, albo sposobem w jaki przewodzi IGBT?... Na mosfetach też ponoć się da zrobić OLTC.

Wracając do szeregowego łączenia tranzystorów, to najbardziej zwróciło uwagę rozwiązanie w tej publikacji, gdyż wydaje się dość proste, niekłopotliwe i pewne jak twierdzą autorzy...


Zastanawia mnie jednak sterowanie bramek mosfetów, oprócz ostatniego na dole, że coś takiego może działać nie uszkadzając bramek...

Załączniki:
RSI641993.pdf [121.32 KiB]
Pobrane 16 razy

Autor:  Mania-C [ 3 wrz 2018, 23:53 ]
Tytuł:  Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Thor to nie tak. Jak byś podniósł ten graf do góry o wartość DC zasilania zobaczył być tak na prawdę o co chodzi.
W pierwszej fazie Crezonansowe jest naładowane do MAX VCC później zamykasz obwód i następuje gigantyczne zwarcie poprzez typowo dwa zwoje w OLTC czyli bardzo niską impedancje. I... ponieważ to jest układ rezonansowy to szybko cewka przez którą przepłyną ten gigantyczny prąd w krótkim czasie zaczyna teraz oddawać energie.
Dlatego to zawsze startuje w ten sposób. Co do schematu który załączyłeś. Wiesz obawiam sie że załączanie takiej ilości kluczy będzie troszkę trwało. Ten ładunek na bramkach będzie sie budował dość pomału i nie wiem czy zmieścisz sie na tyle w czasie by zbudować udar prądu na samym początku.
Po za tym jest jeszcze jedna rzecz załączające sie igbt w relatywnie dość długim czasie będą przebywały w zakresie ni pełnego otwarcia wiec jest to dość niebezpieczne przy starcie.
Swoją drogą do jakiś wolno załączających się aplikacji ciekawy pomysł.

W oltc jest bardzo ważny udar na początku od niego zależą bardzo rezultaty na wyjściu. wiec to musi być układ który szybko załączy wszystkie klucze, im szybciej tym lepiej.

Autor:  Thor [ 4 wrz 2018, 07:59 ]
Tytuł:  Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Kiedy testując układ podpinałem uzwojenia o większej indukcyjności/impedancji to ten przebieg nadal występował. Indukcyjność tu raczej nie gra roli. To musi być związek z kluczem.
W odniesieniu do cewki Tesli na OLTC jest tego typu problem, że nie da rady dać za dużej pojemności kondensatora czy cewki zbyt dużej indukcyjności, bo rezonansowa będzie za mała i nie uda się dostroić do małych rozmiarów cewki, chyba, że trzeba ją nawijać bardzo cienkim drutem. Dlatego jedynym sposobem to znaczące podniesienie napięcia i łączenie tranzystorów w szereg. Ewentualnie można z nieco gorszym efektem zasilać cewkę na 1/3 fali rezonansowej...

Strona 1 z 1 Strefa czasowa: UTC + 1 [ DST ]
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/