Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Wariacje na temat półprzewodnikowych cewek Tesli. Przykładowo transformatory Tesli klasy E (ang. Class E), OLTC (ang. Off-Line Tesla Coil) czy QCW (ang. Quasi Continuous Wave) SSTC/DRSSTC.
Awatar użytkownika
Thor
Posty: 283
Rejestracja: 23 paź 2014, 08:34
Lokalizacja: Warszawa

Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Post autor: Thor »

Planuję zastąpić szczelinę iskrową rozwiązaniem jak w tytule. Czy ktoś ma jakieś doświadczenie praktyczne w tego typu rozwiązaniu albo chciałby podzielić się sugestiami...
Awatar użytkownika
Mania-C
Moderator
Posty: 820
Rejestracja: 2 paź 2010, 12:47

Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Post autor: Mania-C »

jak tak zrobisz to wyjdzie Ci klasyczne OLTC. budowałem parokrotnie oltc ale na pojedynczym igbt. Uważam że będzie bardzo duży problem z przebiciami pomiędzy sterownikiem tranzystora 1 i tranzystora 2 itd.
Awatar użytkownika
Thor
Posty: 283
Rejestracja: 23 paź 2014, 08:34
Lokalizacja: Warszawa

Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Post autor: Thor »

Też budowałem kilka wariantów OLTC i zastanawia mnie jedna rzecz, dlaczego przy kluczowaniu IGBT prąd i napięcie mają taki dziwny przebieg na obwodzie pierwotnym, tzn. zamiast narastając od zera i wykonując jeden pełny półokres od początku wyładowania, wartość napięcia i prądu jest maksymalna w połowie półokresu:
OLTC.jpg
Czy ta różnica wynika z tego, że rezystancja przewodzenia IGBT jest znacznie niższa niż szczeliny iskrowej, czy pojemności pasożytniczej półprzewodnika, albo sposobem w jaki przewodzi IGBT?... Na mosfetach też ponoć się da zrobić OLTC.

Wracając do szeregowego łączenia tranzystorów, to najbardziej zwróciło uwagę rozwiązanie w tej publikacji, gdyż wydaje się dość proste, niekłopotliwe i pewne jak twierdzą autorzy...
Mosfety.JPG
Zastanawia mnie jednak sterowanie bramek mosfetów, oprócz ostatniego na dole, że coś takiego może działać nie uszkadzając bramek...
Załączniki
RSI641993.pdf
(121.32 KiB) Pobrany 568 razy
Awatar użytkownika
Mania-C
Moderator
Posty: 820
Rejestracja: 2 paź 2010, 12:47

Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Post autor: Mania-C »

Thor to nie tak. Jak byś podniósł ten graf do góry o wartość DC zasilania zobaczył być tak na prawdę o co chodzi.
W pierwszej fazie Crezonansowe jest naładowane do MAX VCC później zamykasz obwód i następuje gigantyczne zwarcie poprzez typowo dwa zwoje w OLTC czyli bardzo niską impedancje. I... ponieważ to jest układ rezonansowy to szybko cewka przez którą przepłyną ten gigantyczny prąd w krótkim czasie zaczyna teraz oddawać energie.
Dlatego to zawsze startuje w ten sposób. Co do schematu który załączyłeś. Wiesz obawiam sie że załączanie takiej ilości kluczy będzie troszkę trwało. Ten ładunek na bramkach będzie sie budował dość pomału i nie wiem czy zmieścisz sie na tyle w czasie by zbudować udar prądu na samym początku.
Po za tym jest jeszcze jedna rzecz załączające sie igbt w relatywnie dość długim czasie będą przebywały w zakresie ni pełnego otwarcia wiec jest to dość niebezpieczne przy starcie.
Swoją drogą do jakiś wolno załączających się aplikacji ciekawy pomysł.

W oltc jest bardzo ważny udar na początku od niego zależą bardzo rezultaty na wyjściu. wiec to musi być układ który szybko załączy wszystkie klucze, im szybciej tym lepiej.
Awatar użytkownika
Thor
Posty: 283
Rejestracja: 23 paź 2014, 08:34
Lokalizacja: Warszawa

Re: Szeregowe łączenie mosfet i IGBT

Post autor: Thor »

Kiedy testując układ podpinałem uzwojenia o większej indukcyjności/impedancji to ten przebieg nadal występował. Indukcyjność tu raczej nie gra roli. To musi być związek z kluczem.
W odniesieniu do cewki Tesli na OLTC jest tego typu problem, że nie da rady dać za dużej pojemności kondensatora czy cewki zbyt dużej indukcyjności, bo rezonansowa będzie za mała i nie uda się dostroić do małych rozmiarów cewki, chyba, że trzeba ją nawijać bardzo cienkim drutem. Dlatego jedynym sposobem to znaczące podniesienie napięcia i łączenie tranzystorów w szereg. Ewentualnie można z nieco gorszym efektem zasilać cewkę na 1/3 fali rezonansowej...
ODPOWIEDZ