Witam.Postanowiłem zbudować swoją pierwszą półprzewodnikową cewkę tesli (póki co mam tylko VTTC na GU81 na koncie).Cewka jest zrobiona według schematu w załączniku.Częstotliwość rezonansowa cewki jest w granicach 100KHz.Użyłem do jej budowy tranzystorów IGBT typu HGTG40N60A4 które miałem z odzysku po jakiejś starej mikrofalówce(tranzystory były przeze mnie sprawdzane i mam pewność że były dobre).Gdy zamiast uzwojenia pierwotnego podłączyłem żarówkę o mocy 200W wszystko działało ładnie,tj tranzystory na radiatorze prawie się nie grzały,a żarówka świeciła.Po podłączeniu uzwojenia pierwotnego,cewka zaczęła dawać iskry o długości 15-20cm,ale po 30 sekundach pracy 1 tranzystor się spalił.Po wymianie na nowy było tak samo,ale tym razem w innej części mostka się spalił.I tutaj moja prośba o poradę,czy ktoś z was zna przyczynę spalania się tranzystorów i jak temu zapobiec aby cewka działała dobrze?

Moze być wiele przyczyn jednakże wymienie parę z nich...

- przy każdym układzie powinny być kondensatory decoupling równolegle z zasilaniem w szczególności przy driverach.
- R17 i R18 nie powinny mieć tam miejsca z reguły rzadko stosuje się rezystory przy trafach impulsowych a jak już to na pewno nie o rezystancji 10Ohm tylko 2 do 4 jednakże najlepszym rozwiązaniem jest dążenie do transformatora impulsowego który ma najlepsze przebiegi. Jego przekładnia 1do1 zostaje dalej ta sama eksperymentuje się z rodzajami materiału rdzenia i liczbą zwoi tak by zachować symetrie.
- Drivery fetów są za słabe 2A w piku na sterowaniu to bardzo mało tym bardziej ze połączyłeś 2 trafa równolegle .polecał bym klasyka z rodziny TC, TC4422 (jak dobrze pamiętam).
-Ja osobiście nie lubię igbt w SSTC no ale to może moja oposesja (nielubie ich ślimaczenia sie) wiec to zostawiam może dla siebie niepotrzebne skreślić

Podsumowując najbardziej prawdopodobne jest to ze Twoje sterowanie GDT jest liche co odbija sie znacznie na przebiegach bramkowych. Może to też być zła konstrukcja rezontora i kupa innych rzeczy. Jednakże warto zacząć od badań samego serca tesli czyli jego sterownika.

Oscyloskop na sto i do dzieła ...

PS1. Po sprawdzeniu co to za driver 3120 i spojzeniu jakie ma czasy włączenia i wyłączenia aż mi głowa opadła. Popatrz na to, narzuciłeś około 500ns opóźnienia .Jak to wujek dzejwor xD mówi jak używasz takich rzeczy licz się z tym ze będziesz musiał wyrównać te opóźnienia. no i najważniejsze przeznaczeniem tego drivera jest sterowanie bramek nie transformatorów impulsowych

Pozdrawiam

Przede wszystkim te tranzystory nie zawierają wbudowanej diody w związku z czym 1N5822 możesz zazworkować. W przypadku gdyby zawierały to dioda w IGBT nie jast struktura pasożytniczą jak to ma miejsce w mosfetach w związku z czym niema potrzeby zastępowania jej zewnętrzną. Po drugie masz niestabilizowane napięcie zasilające bramki - to niezbyt szczęśliwy pomysł. Po trzecie te drivery są za słabe. Po czwarte nie podoba mi się zastosowanie 4069 zamiast 74HC14. Oporniki przed GDT to pomyłka. Jaki materiał rdzenia zastosowałeś i jak wygląda przebieg na bramkach IGBTków ?

Póki co nie mam możliwości dokładnego sprawdzenia przebiegów,ale mogę powiedzieć że przy żarówce,przebiegi na wejściu bramek tranzystorów były prostokątne,co wnioskuję że było ok.Natomiast po podłączeniu uzwojenia pierwotnego,była "zanieczyszczona sinusoida".Co do driverów.Czy musi on mieć te 9A czy już 6A wystarczy? Co do rdzenia GDT,to materiału nie znam.Zostały one wyjęte z fitru napięcia zasilania jeżeli dobrze pamiętam

Rdzenie możesz wywalić. Filtry zawierają rdzenie proszkowe których zadaniem jest "zjadanie" częstotliwości które ty chcesz przenosić. Proponuję kupić rdzenie z materiału 3E25 na allegro - kosztują kilka zł. Co do drivera 6A powinno wystarczyć ale generalnie im więcej tym lepiej. Sinus na bramkach .... to niema prawa się nie spalić. Co do kształtu prawidłowego przebiegu bramkowego dla IGBT wygląda on tak:

Natomiast dla mosfeta tak:

Inne przebiegi są nie wskazane. Dziwny kształt przebiegu na bramce igbt wynika z konieczności wyrównania różnic w czasach włączania i wyłączania natomiast mosfet jest prawie symetryczny czasowo. To bardzo istotne - bez wyrównania masz potężne zwarcie skrośne (górny IGBT zostaje całkowicie otwarty zanim dolny zdąży się zamknąć) które prawdopodobnie pali ci tranzystory i pogarsza efekty. Do tego jeśli faktycznie masz sinus na bramkach to tranzystory siedzą cały czas w obszarze pracy linowej zamiast przechodzić skokowo z stanu nasycenia w stan zatkania.

Wskazane 9A patrz ze łączysz dwa trafa równolegle czyli ich sumaryczna impedancja jest mała.jeszcze parę kluczowych rzeczy też się przy tym zmienia . Poszukaj tematu na forum o szpilkach w GDT.
Test z żarówką jest kiepski i to bardzo . Dlaczego ? a no dlatego ze zarówka to opornica w dodatku 100 omowa no i zupełnie inaczej sie zachowuje jak element indukcyjny. Wiarygodnym testem będzie jeśli podłączysz całość tak jak to być powinno bez żadnych żarówek pod transformator zasilający który daje na wyjściu około 50V i zaczniesz mierzyć wszędzie przebiegi jakie występują.

"Natomiast po podłączeniu uzwojenia pierwotnego,była "zanieczyszczona sinusoida"."
na bramkach nie może być przebiegów typu sinus ,piłka ,szarpanic tylko prostokąt. w Twoim przypadku wskazuje to na odległe w czasie załanczanie się tranzystorów i powolne wyłączenie w skutek czego jeśli 2 tranzystory przeciwległe do siebie w mostku tak zrobią to oznacza to k-boom.

PS dodam ze to w tym typie tesli klasyk (SSTC) przebieg sinus na bramkach jest nie dostępny i raczej nie pożądany

@- DZeJ niedobry xD niedobry xD

Zacząłem niedawno poszukiwać układów typu mosfet driver i w jednym ze sklepów natknąłem się na układ typu UCC37321P.Dobry on będzie? Jak rozumiem,pozostaje jeszcze wymienić 4069 na 74HCT14 i wymienić rdzenie w GDT?

Jak najbardziej dobry. 4069 na 74HC14 wymień no i ten rdzeń - wystarczy jeden z materiału 3E25.