Deczko Szkielet ... GG jest dalej to samo tyle ze ostatnio mam masakrycznie mało czasu ... ta dziura to opóźnienie udaru prądu płynącego przez mosfety. Choć według dzeja to źle bo im większy prąd tym lepiej z tym ze tu już pracujemy z dużym prądem (mamy tylko 2 zwoje czyli indukcyjność iest niska) tak myślę ze przy 200V na zasilaniu nasz fet będzie musiał 250A przenieść to sporo tym bardziej ze pracujemy z znacznie wyższą częstotliwością niż obsługują igbt może kolejnym kluczem było by obniżenie F res i wstawienie klocków IGBT ...
Po moich testach igbt 4 generacji mimo że ultra szybki nie dają rady z dotychczasową częstotliwością (testowane IGBT STGW40NC60V)
zamiast tego żółtego dławika którego użyłem lepiej jest powietrzny nawinąć ... tamten sie nasyca i trzeba było z nim kombinować to był powód Twoich problemów ( po chwili zastanowienia wszystko nabiera sensu

).
Obserwowałem ostatnio parę konstrukcji OLTC i klocki które tam pracowały miały prąd 800A w piku (F res rezonatora tez była bardzo niska)
Nowa wersja SSTC + OLTC jeszcze nie wykonana wciąż czeka na zrobienie layouta PCB
Szkielet jak byś miał chwile czasu i możliwości to przetestuj to z rezonatorem poniżej 100khz bo ja bym musiał nawijać od nowa rezonator a na to obecnie nie mam czasu ...
Pozdrawiam HV-towców