Akapitami.
1. H/D ratio trochę małe. Lepiej trzymać się 4-5. Na upartego może zostać ale spróbuj pokombinować by uzwojenie było wyższe lub o mniejszej średnicy. Lub to i to. Do tego sprzężenie magnetyczne... 0,275 to za dużo. Teoretycznie rekomendowane jest 0,13 wg programu ale w tym przypadku wartość jest nieważna. Zejdź poniżej 0,2. To bardzo ważne. Odsuń pierwone od wtórnego, teoretycznie możesz dać je niżej. Ciekawym rozwiązaniem byłaby regulowana wysokość wtórnego i zmieniające się przy tym sprzężenie

2. A jednak, nie zrozumieliśmy się wcześniej

3. Tak, bez wtórnego prąd będzie mniejszy. Dlatego właśnie powinieneś liczyć dla istniejącego a raczej zwartego wtórnego. To najmocniejsze obciążenie jakie wystąpi w układzie. Do z tego że mostek wytrzyma pracę jałową skoro obciążenia nie przeżyje?
Na Twoim screenie masz podane rezystancję DC wtórnego, rezystancję AC przy rezonansowej i Q. Z AC, DC i Q wyliczysz R,L,C szeregowo obwodu wtórnego. Dla rezonansowej powinny wpadać w rezonans.
[tutaj nie jestem pewien - chyba wyjdzie po prostu rezystancja AC z obrazka ale nie jestem pewien czy nie powalili z impedancją, więc przelicz]
Wtedy znając sprzężenie magnetyczne rysujesz obwód zastępczy pierwotne (R,L) i wtórne (R,L,C), gdzie indukcyjności sprzężone są sprzężeniem które polecałem zmienić. Prosta teoria obwodów. Wtedy dowiesz się jaka jest Impedancja całego ustroju magnetycznego i będziesz wiedział na jaki prąd szykować mostek.
Na uzwojenie pierwotne zwykle stosuje się rurki. Mają dużą powierzchnie bo mają 2 "strony" są sztywne i takie "typowe" dla tesli. Licę musiałbyś przypinać, układać by mieć równe zwoje. Nie wiadomo jak z naskórkowością by wyszło w stosunku do rury.
"Troszeczkę nie wiem, skąd miałby się brać w tym przypadku prąd rzędu 100 A - chyba, że mówimy o skróceniu uzwojenia."
Właśnie przez brak obwodu wtórnego masz takie bezpieczne wartości.
4. Tranzystory SSTC przełączają się prawie na miękko. Tzw. miękkie przełączanie w momencie gdy prąd przez nie płynący przecina 0. Także o ile szybkość przełączania nie jest kluczowa chociaż należy zadbać by była sensowna, o tyle bardzo ważna jest rezystancja w kanału w stanie przewodzenia. Popularne do SSTC były IRFP460. Tranzystory IGBT... no nie wiem. O ile w cewkach DRSSTC prąd strony pierwotnej bywa ogromny i łatwiej wytracać moc I*Uf tranzystora o tyle przy mosfetach I^2*Rds(on) jest to często niemożliwe. W przypadku SSTC można zastosować oba rodzaje tylko trzeba policzyć co się bardziej opłaca jeżeli chodzi o straty na tranzystorach.
Zwróć też uwagę na ładunek jaki trzeba dostarczyć do bramki by otworzyć tranzystor dla prądu jakiego będziesz się spodziewał w pierwotnym. Teoretycznie im mniej tym lepiej ale w praktyce każdy tranzystor ma wiele parametrów. Żeby się nie okazało że wziąłeś tranzystor o mniejszym ładunku bramki by ograniczyć straty przełączania, ale kosztem dużo większych rezystancji Rds(on) więc w przewodzeniu cały profit stracisz z nawiązką.
Diody antyrównoległe powinny być przede wszystkim jak najszybsze, wytrzymać prąd strony pierwotnej i napięcie zasilania z zapasem. Straty na nich zależą od napięcia przewodzenia.
Dioda szeregowo z tranzystorem ogranicza straty a w skrajnych przypadkach zapewnia dłuższe życie tranzystorom. Diody pasożytnicze wbudowane w tranzystory, a raczej powstałe w tranzystorach, są bardzo wolne. Będąc zamknięte i po nagłym pojawieniu się na nich napięcia otwierają się powoli co powoduje straty mocy. Dioda Shottkiego zamyka się w takim wypadku bardzo szybko praktycznie usuwając ten prąd, który w zamian w całości przepłynie przez diody antyrównoległe spolaryzowane w tą samą stronę co pasożytnicze ale będące dużo szybsze.
Nie będą musiały wytrzymywać dużych napięć, ale prądy już tak. Taka 45V powinna wystarczeć.