No dobrze.
Mam jeszcze kilka pytań, a mianowicie:
1. W jakim celu niektórzy robią zaślepki do rury na której nawinięte jest wtórne? U mnie działa bez nich.
2. Czy w celu ograniczenia przebić z wtórnym można by włożyć uzwojenie wtórne w kolejną rurę PCV o średnicy o parę mm większej, tak by ona całkiem zakryła drut nawojowy? Czemu się tak czesto nie robi?
3. Czy wykonanie pierwotnego tak, że jest parę odczepów drutu (aby móc testować działanie na różnej ilości zwojów) w jakiś sposób pogorszy działanie układu niż jak jest pierwotne nawinięte w sposób ciągły drutem bez odczepów?

1 Kwestia czysto mechaniczna, wykonie mocowania dla terminali czy samego rezonatora do podstawy.
2 Za wiele to nie da, będzie "chciało", to przebije tak czy inaczej. Wysokie napięcie przemienne wysokiej częstotliwości ma to do siebie, że jak ma przebić to prędzej czy później "przeżre" izolację. Podstaw do korony grubą płytę plastiku i zobacz, czy stawi mu opór...
3 Jeżeli połączenia będą solidnie wykonane, to nie ma przeciwwskazań.

Dobrze, wykonałem nowe pierwotne z odczepami do swojej SSTC i działa bez zastrzeżeń.

Wracając do pomysłu zasilenia SSTC wyższym napięciem - znalazłem ciekawy filmik:
https://www.youtube.com/watch?v=mcnnMtScMug
Autor (Kizmox) zasilił SSTC na półmostku na IRFP460 (500V 20A) z 500V.

Logika jest taka jak u Stevie Ward w MiniSSTC, czyli antenka.
Efekty są dość dobre, zastanawiam się czy warto byłoby powielać ten pomysł? Ewentualnie z innymi MOSFETami bo IRFP460 tam chyba pracują na swojej granicy Vds...

loneoceans też użył podwajacza napięcia do zasilenia SSTC z tego co widzę.

Tyle, że u niego było 120V * 2 * (Sqrt 2) volts DC (about 340VDC), a u nas by było 230V*2*sqrt(2) czyli jakieś 650V.... niezbyt to widzę, ale może by się dało?

W tym przypadku to delikatnie mówiąc nierozsądne. Pełnych 500V tam raczej nie ma bo klucze by poleciały... Nie wolno zmuszać podzespołów do pracy na granicy parametrów znamionowych gdyż jest to szybka metoda na ich zniszczenie. 500V to "Absolute maximum rating" dla IRFP460, a więc wartość z granicy uszkodzenia. Nawet producent nie gwarantuje poprawnej pracy przy tym woltażu. Jeśli chodzi o napięcie trzeba zachować dość duży zapas, zwłaszcza że mamy do czynienia z układem impulsowym gdzie klucze obrywają dużymi prądami i istnieje ryzyko występowania znacznych przepięć. Napięcie zasilania powinno być przynajmniej 1/3 niższe niż maksymalne napięcie kluczy (dla mostków tranzystorowych; niektórzy zalecają nawet połowę), zaś w układach takich jak flyback klucze powinny być nawet na trzykrotność napięcia zasilania

Oczywiście wyższe napięcie zasilania polepszy osiągi SSTC ponieważ pozwoli na "przepchnięcie" większej mocy, a to jak opisywałem wcześniej pozwala na większe wyładowania, jednak taki zabieg wymaga stosownych kluczy. A z tym jest problem, ponieważ MOSFET-y z Vds powyżej 600V albo mają dużą rezystancję kanału i mały prąd drenu, albo są dość drogie. Wysokonapięciowe IGBT są z kolei zbyt wolne.

Zasadnicze pytanie: Jaki jest sens katować półmostek napięciem na granicy wytrzymałości kluczy, zamiast przerobić na pełny? Efekty będą nawet lepsze, a przy tym całość będzie znacznie stabilniejsza i bardziej niezawodna... Idea jest ta sama: większe napięcie na pierwotnym pozwalające na przeniesienia większej mocy (należy pamiętać, że napięcie na wyjściu półmostka jest dwa razy niższe niż pełnego).




Jak sam widzisz, 500VDC to teoretyczne napięcie jakie może wytrzymać mostek, a jest zasilany z 340VDC (czyli z grubsza tyle, ile daje wyprostowane i odfiltrowane polskie 230Vrms). Do pracy z 640VDC potrzebowałbyś kluczy przynajmniej na 900V (a lepiej 1200). Tyle, że znów jaki to ma sens, skoro odpowiednio zaprojektowana cewka na pełnym mostku zasilana z 320VDC jest w stanie wykorzystać pełnię możliwości zasilania z jednej fazy (ponad 16A), a zasilanie z trzech faz to trochę "przeskoczenie rekina"...
Zabawy z podnoszeniem napięcia zasilającego mają sens przy amerykańskiej sieci 110VAC, ale u nas niezbyt...

Na filmiku jest voltomierz pokazany i tym też się sugerowałem.

Co do reszty - chciałbym się jeszcze upewnić, czy pomiędzy D/S klucza w konfiguracji półmostka przy zasileniu np. napięciem 320V występuje te 320V, czy występuje połowa, czyli 160V?


Te "a lepiej 1200" na pewno się odnośi do 640VDC a nie do 900V od kluczy?

Z tego co widzę to MOSFETy na więcej niż 800V mają rezystancję powyżej 1 Ohma... IRFP460 ma 0.27 wiec w sumie 10 razy większe straty by były przez rdsOn..


Masz rację, i tak kombinuję bardziej z ciekawości, a do pełnego mostka ciągle się przymierzam, za parę dni zamierzam testować nowe uzwojenie na jakieś 200kHz z nadzieją, że będą lepsze przebiegi niż na poprzednim na 400kHz.

320VDC, pomyśl logicznie: Gdy dolny klucz jest otwarty zwiera źródło górnego do masy, górny więc musi blokować pełne napięcie zasilania. W drugiej połowie cyklu analogicznie, górny klucz zwiera dren dolnego do szyny zasilania.



Owszem, błąd edycji, poprawiłem.



Tak jak mówiłem, z tym jest problem. Istnieją co prawda MOS-y z wysokim Vds i niskim Rds, ale są drogie i trudno dostępne...

Dlatego przy większych prądach i napięciach stosuje się IGBT .
Myślę ,że takie IGBT są nawet tańsze od MOSFET-owych odpowiedników.
(A moc wydzielana jest liniową funkcją od prądu nie kwadratową jak w przypadku mosfetów)

Widziałem na internecie taką teslę: półmostek z IGBT ale na topologi SSTC.
Wyładowania ok 0,75m

Link: https://www.youtube.com/watch?v=m0i3bURZjaU



PS. Jak mamy temat o SSTC to może ktoś mógłby napisać temat jak działa DRSSTC

Tak, ale o ile istnieją bardzo szybkie IGBT na 600V, to na 1200V z kolei są powolne i przełączanie "na twardo" sporego prądu przy częstotliwości n-set kHz jest dla nich zasadniczo nieosiągalne... Straty przełączania byłyby ogromne.
W DRSSTC mamy "miękkie" przełączanie ZCS, dzięki temu praktycznie zapominamy o stratach przełączania i powolne klucze dają sobie radę ze stosunkowo wysoką częstotliwością.

DRSSTC w sumie zasługuje na osobny wątek, może jak będzie czas...

Dzięki za link, bardzo fajny projekt. A do tego te efekty... i te słabe wykonanie. Co z pozoru jest plusem, bo skoro sklecone na płytkach stykowych działało, to znaczy, że układ nie jest aż taki problematyczny...

Wiecie mniej więcej jak on to złożył? Z chęcią bym podjął się replikacji, nawet bym mógł za te IGBT wybulić.

Z tego co widzę to interrupter to Stevie Ward DRSSTC Interrupter with Burst Mode. Tam koniecznie jest taki potrzebny czy dowolny przejdzie? I jest podłączony przez "fiber optics"...



Dalej widzę, że jest chyba klasycznie 74HC (obok niego chyba stabilizator 5V), antenka, i dwa drivery MOSFET ale w DIP:

Dalej półmostek, widać rezystory bramkowe, klucze, kondensatory, nie widzę zenerek od zabezpieczeń i diod szybkich, ale w IGBT są one wbudowane...

Niżej bateria kondensatorów i bleeder:

No i zasilanie - niezbyt je ogarniam, takie małe trafko po drodze, przecież sam Yuri pisał, że by się zjarało uzwojenie??

I tu widać, że on ma trzy zwoje na pierwotnym...



Panowie, wie ktoś może:
1. jakie tam on wsadził IGBT?
2. jaki frez ma jego uzwojenie?
3. czemu on zawdzięcza takie dobre efekty? Małej ilości zwojów na pierwotnym?
4. Czy jakbym użył swój zwykły driver od Tesla a la Yuri i tylko zrobił ten półmostek na IGBT i puścił go z sieci to bym mógł zejść z ilością zwojów na pierwotnym niżej i otrzymać podobny efekt?

Ja się też tym zainteresowałem.

Te IGBT to 60N100 które kosztują 21zł sztk.

Mówił ,że to trafo działa jako autotransformator- używa tylko wtórnego aby podbić 120V które mają w USA do ok 240V. Więc trafo się nie poci bo nie używa wtórnego.

Z tymi IGBT to jest dobry pomysł ale trzeba pracować z niższą częstotliwością bo IGBT nie załączą się chyba na 1MHz. I trzeba mieć dobre drivery do nich.

Z ilością zwojów to on ma ok 3-4 z bardzo grubej rurki. Ja bym zwiększył ilość ze względu na bezpieczeństwo kluczy. Nie jest dobrym pomysłem schodzić zbyt nisko- 2 zwoje to stanowczo za mało to się zachowuje prawie jak zwarcie.

Interrupter to każdy może być - najważniejsze aby sprzężenie działało poprawnie.
(Edit: Doczytałem- pan nie używa burst mode tylko górnej części układu)


PS. Ciekawe jakie ma osiągi jak da się PEŁNY mostek

Ja tam słyszę "sixty m one hundred", ale mogę się mylić.
FGL60N100BNTD?
http://www.tme.eu/es/Document/38027f8f7 ... 00BNTD.pdf
Z tego co widzę to mają większe czasy od IRFP460, ale nie wiem za bardzo jak dokładnie je zinterpretować i wyznaczyć frez uzwojenia wtórnego który by tym kluczom odpowiadał?


Na allegro są po 40 zł sztuka, więc nie wiem czy opłaca się ryzykować...
ALE u chinoli są po 2 dolary sztuka (i darmowa przesyłka) - tylko nie wiem czy autentyczne.
Grzegorzm2121, bierzemy i próbujemy uzyskać taki efekt jak na filmiku?


On i tak mówił na filmie że trzeciego NE555 od "burst rate" nie zmontował, zresztą widać, że ma tylko dwa NE555 podłączone.



Ja mam swoją gotową, wiec tylko bym mostek zamienił i zobaczymy...

To znów nic specjalnego. Bardzo niska ilość zwojów żeby pompować dużo mocy i interrupter narzucający bardzo krótki cykl pracy z dużymi przerwami - dzięki temu przez chwilę jest zrzucana bardzo duża moc pozwalająca utworzyć duże wyładowanie, a potem elektronika stygnie. O ile chwilowa moc jest bardzo duża, o tyle średnia jest mała (większość czasu cewka spędza w stanie wyłączonym. Dlatego to niewielkie trafo nie ulega przeciążeniu). Interrupter musi być odpowiednio ustawiony, inaczej klucze polecą.



Nie wiem ile razy ja to już powtarzałem, te wszystkie cewki są takie same. Różnią się tylko detalami.

Generalnie IGBT są zdolne wytrzymać większe natężenia, ale są wolniejsze co prowadzi do większych strat przełączania.
Takie rzeczy jak na filmiku można uzyskać, ale to ryzykowne i bardzo łatwo zniszczyć tranzystory. Nie mniej, to popychanie kluczy do pracy na granicy ich możliwości i tylko interrupter chroni je przed eksplozją.



1MHz? 100kHz to już dla nich DUŻO. Jak pisałem wcześniej, tylko krótkie cykle pracy trzymają je w całości...



Nie wiele większe, klucze raczej więcej nie wytrzymają...



Tyle, że to właśnie dzięki temu uzyskuje tak duże wyładowania...

Generalnie cały pomysł to po prostu żyłowanie kluczy do granic możliwości, mało stabilna i dość zawodna metoda na uzyskiwanie dużych wyładowań.

IRFP460: Zauważ ,że zmieniłem szybko mój post po obejrzeniu filmu.
Lecz nie mam pojęcia czemu zmiany zaszły dopiero teraz.
Chciałem tylko dodać ,że poprawiłem się natychmiast.

Może mnie źle zrozumiałeś
Przymierzam się do budowy takiej lecz to zajmie sporo czasu.
Lecz po przeczytaniu co napisał Yuri to IGBT to chybiony pomysł w SSTC.
Więc IRFP460 wciąż stanowią standard.

Teraz zaczynam eksperymenty z cewką małej mocy aby zdobyć doświadczenie a dopiero za kilka miechów jak się czegoś nauczę będę mógł bawić się w takie moce
Wiadomo lepiej eksperymentować na 30V niż na 230V i ryzykować klucze które są bardzo drogie.

Więc IGBT nie będę kupować Poza tym całe kieszonkowe poszło na zamówienie na które teraz oczekuję.

Na tme one kosztują 21zł sztk. A przy 3+ ok 18zł.
Pamiętaj - powinny być firmowe (National rectyfier czy jakoś tam) bo podrabiane są o wiele gorsze.

To ja bym sformułował moje pytanie inaczej - co oprócz pełnego mostka mogę zrobić by uzyskać większe wyładowania? Oczywiście chodzi mi w zakresie umiejętności amatora. Tak samo w zakresie kosztów. Za DRSSTC się raczej nie zabieram, więc jakie są inne opcje?

Yuri w jaki frez byś mi radził celować z rezonatorem pod replikację efektu z filmu? 100kHz, mniej? Wysłałem wiadomość do autora z pytaniem o parametry wtórnego ale pewnie nie odpowie.

Ale kombinujecie Panowie trik polega na tym by obniżyć BPS a zwiększyć Ipk inaczej nasze półprzewodniki sie zesmalą ogniem piekielnym.

Btw.
Nikt nie wymienił najważniejszego czynnika który jest sumą paru zależności:
Moc przepompowana w zależności od częstotliwości
skoro SSTC nie ma rezonansu na uzw pierwotnym to znaczy że wraz z wzrostem stanu kiedy płynie przez nią prąd to on będzie rósł zgodzie z argumentem w wzorze Delta prądu / delta czasu
Ma to również swoje odzwierciedlenie jak już Yuri podkreślał w tematyce sprzężenia magnetycznego , uogólniając więcej prądu to więcej strumienia magnetycznego .
Wiece dlaczego to nie idzie w liniowo nieskończoność ? ponieważ każdy układ ma swoją skończoność w tym przypadku końcem jest zrównanie mocy pompowanej z reaktancjami uzw. (można je ująć nazwać stratami) + jeszcze parę czynników ale chwilowo je pomińmy
Co ciekawe to idzie mniej więcej jak logarytmy w akustyce , aby podwoić osiągi to moc trzeba przepompować 4 razy taką
aby potroić osiągi to moc trzeba potroić razy 8 itd...

no to teraz wrócimy do początku wiec co trzeba aby uzyskać dłułga koronę ? Odpowiedz , duże piki prądowe które pozwolą przesunąć troszkę dalej zrównanie sie strat z energią pompowaną.
kiedyś prowadziłem testy ile jestem w stanie przepchnąć przez SSTC i doszedłem do 250Ap-p po czym stwierdziłem ja i dzejwor ze to jest nie opłacalne aby przy przełączaniu w hard switchingu przepychać jeszcze więcej prądu , jest to po prostu nie efektywne.
Należy bezwzględnie pamiętać o tym że struktura każdego półprzewodnika oddaje ciepło z opóźnieniem dlatego tyle sie mówi nie o przegrzaniu całego mosfeta tylko o przegrzaniu struktury półprzewodnika.
Dlatego każda sstc pracująca z relatywnie dużym prądem musi uwzględnić czas aby półprzewodniki oddały ciepło , a realizuje sie to dokładnie w taki sposób jak widzicie na filmiku.

Yuri jestem pod wrażeniem jaką wiedzą dysponujesz . BARDZO DOBRZEEE
Podziel się z początkującymi gdzie i co czytałeś może im będzie prościej.

Pozdrawiam

Ja też myślę ,że nie warto na siłę zwiększać osiągów SSTC.
Steve na swojej stronie musiał wykorzystać 3 mosfety jako jeden klucz w celu rozdysponowania ciepła i prądu.
Stosował też przetwornicę podwyższającą napięcie a ogólne koszty były chyba większe niż DRSSTC które miało o wiele lepsze osiągi.

Dziękuję za uznanie.

Źródeł z których korzystałem jest wiele. Po prostu gdy zainteresuję się jakimś zagadnieniem zaczynam przekopywać sieć, czytać różne publikacje itd. Bardzo dużo dowiedziałem się także od Was - bardziej doświadczonych kolegów.




Może niekoniecznie drożej, ale na pewno dużo bardziej problematycznie i niestabilnie...

Czyli co byś ostatecznie radził zrobić amatorom (już, powiedzmy, po pełnym mostku SSTC)? Jednak DRSSTC? Czy może klasyczną Teslę lub VTTC?


I mam ogólną prośbę co do tematu - w pierwszym poście Slu nie są pokazane wszystkie oscylogramy - mógłby ktoś wrzucić pełny zestaw oscylogramów z dobrze wykonanej SSTC na półmostku? Mam na myśli:
- przebieg D/S dla obu MOSFETów
- przebieg G/S dla obu MOSFETów
- przebieg na uzw. pierwotnym
Przydałby się taki punkt odniesienia, bo ulepszam swoją SSTC i ciągle np. nie wiem, czy górny klucz zawsze ma większe "dzwony" na przebiegu czy coś jest nie tak... sam na ten moment nie mam jak wrzucić zdjęć.

Polecanie DRSSTC dla nowicjuszy byłoby karkołomne, to zbyt wymagający układ. Jak ma być prosto to iskiernik albo lampa...

Myślę ,że sama chęć ciągłego zwiększania mocy jest zła.
Najpierw trzeba zdobyć dużo wiedzy o SSTC. Więc trzeba wykonać ich kilka.
Do złożenia sterownika trzeba mieć o wiele większą wiedzę więc:

Od sstc do dr'ki jest długa droga