Też budowałem kilka wariantów OLTC i zastanawia mnie jedna rzecz, dlaczego przy kluczowaniu IGBT prąd i napięcie mają taki dziwny przebieg na obwodzie pierwotnym, tzn. zamiast narastając od zera i wykonując jeden pełny półokres od początku wyładowania, wartość napięcia i prądu jest maksymalna w połowie półokresu:
Czy ta różnica wynika z tego, że rezystancja przewodzenia IGBT jest znacznie niższa niż szczeliny iskrowej, czy pojemności pasożytniczej półprzewodnika, albo sposobem w jaki przewodzi IGBT?... Na mosfetach też ponoć się da zrobić OLTC.
Wracając do szeregowego łączenia tranzystorów, to najbardziej zwróciło uwagę rozwiązanie w tej publikacji, gdyż wydaje się dość proste, niekłopotliwe i pewne jak twierdzą autorzy...
Zastanawia mnie jednak sterowanie bramek mosfetów, oprócz ostatniego na dole, że coś takiego może działać nie uszkadzając bramek...