Witam

Ostatnie w mojej głowie zrodził się μ-pomysł po zabawie modułem MH-1001 (efekty ukarzą sie w przyszłości ) . Jak wiadomo do sterowania MOSów (typu IRF840 ) potrzebne jest 12V lub ciut więcej,
a nie logiczna "1" jak jest to w przypadku 555.

Sam projekt jest jak cep: 4011 robi za generator, BD139 sieka GDT (zapewnia toto odp. amplitudę napięcia ). To chyba tyle, ale to tylko teoria gdyby ktoś to złożył w praktyce i powiedział co i jak
byłbym wdzięczny

Ps. fajnie było by zobaczyć przebiegi lecz sam tego nie zrobię bo brak oscyloskopu możliwe za ok. miesiąc kupie jakiś

(właściwie to może tata pożyczyć oscyla (jakiś rusek) od znajomego ale boje się go u walić...)

Być może nie będzie mnie dłuższy czas na forum jeśli tak: to czas to przejrzę i odpiszę jak będzie taka możliwość...

Problem widzę jeden włączenie tranzystora spowoduje że przez pierwotne GDT popłynie prąd ładując rdzeń jakimś polem magnetycznym i ładując przy okazji bramkę mosfeta. problem zaczyna się w momencie wyłączenia tranzystora gdyż energia zgromadzona w GDT nie ma jak się rozładować będzie więc oscylować prawdopodobnie ze sporą częstotliwością i cyklicznie przełączać mosfeta aż do jej zaniku. W takim układzie jak pokazałeś najlepiej zastosować pojedynczy driver typu UCC37321/22 albo dowolny inny. Dioda dołożona przy mosfecie niema sensu jeśli już to trzeba jeszcze zablokować wewnętrzna za pomocą diody shotkyego włączonej szeregowo z fetem..

Czyli bez sensa

THX...

Niekoniecznie, musiałbyś dodać równolegle jakiś snubber, np jak tutaj:



Aczkolwiek jeśli chcesz flybacka, który będzie działał bezawaryjnie to polecam przetwornice Mazzilliego (aka ZVS).

Jeżeli dobrze pojmuje Panie hvman to chodzi o ten kawałek w czerwieni, tak?

Nie, o kawałek na lewo od zaznaczenia z diodami ZD 30V i 1N4148. Podobny snubber masz w przetwornicy na dole schematu.

Bingo?

Zgadza się, jednak do pełni szczęścia potrzeba jeszcze rezystora bramowego dla mosfeta i może diody zenera.

Co by było gdyby wykorzystać ten kawałek, tylko dać np. IRF630 zamiast IGBT ?

@rewida17
Było by to lepsze ... ten fragment czasami jest nazywany przyśpieszaczem zamykania. Choć tak naprawdę ma też wadę ale "tym się nie przejmujemy" bo na pewno jest lepszy od tego który zaproponowałeś na początku ...

A czy można wiedzieć jaka ta wada, bo dobrze jest znać swoich wrogów ...

potrafi się sam otworzyć bo niema tu negatywnego napięcia na bramce głównego feta. układy niemające takowych napięć są słabo odporne na zjawiska millera. ten wróg jest uparty

Jak to ktoś kiedyś stwierdził na 4hv "Miller is the killer" Ja i tak będę uważał że w takim układzie jak w pierwszym poście najlepszym wyjściem jest sterowanie mosfeta bezpośrednio (oczywiście przez opornik bramkowy) z dowolnego drivera mosfetów. tranzystor jest do masy więc żadne przesuwanie punktu odniesienia nie jest potrzebne. Rozwiązanie prostsze i pewniejsze niż kombinowanie z jakimiś snubberami czy diodami obcinającymi. Oczywiście są sytuacje kiedy jest to konieczne ale ta do nich nie należy.

Tylko nie każdy takie drivery posiada...