Jeśli mógłbym coś dodać nawet uogólniając

Is- Supply Current
Is=Qg • f
Is= 1500nC • 22khz = 33mA
Pg- Power gate
Pg=Is • ((+Vge+(-Vge))
Pg=33mA • 15V=0,495W
Igp- gate peak current
(+Vge+(-Vge))
-------------- = Igp
Rg + RG
RG - Gate drive resistor
Rg - Drive circuit resistance
15
Igp= ------- = 1,36A
1+10
Tc - Time charange
c • v
Tc= ------
I
60 • 10^3 • 15
Tc= --------------- = 661,764nS
1,36A
W takim czasie osiągasz 63% napięcia bramy aby mieć 100% trzeba 5razy tyle wynika to ze stałej czasu 1-e1
W praktyce ja używam przeważnie liczby 4 lub 3 gdyż zmiany napięcia w ostatniej wielokrotności są nie wielkie żedu paru %
Oczywiście to tylko teoria - praktyka pisze swoje sceny
A co do driverka czas martwy ma duży a tak to dobry eksperyment zrobiłeś

Założyłem ze ten driver ma rezystancje wewnętrzną 1R choć na 1000% ma więcej

bo przeżył Ipk z tego co opisujesz rzędu 15A a dtrka określa iż ma 2,5A Ipk
(Moze powyższa mamameja na coś komuś się przyda , opisy i wzory z książek iXys Vishay , Cymer. inc, Powerec Inc. )