GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Falowniki, spawarki, przetwornice niskonapięciowe i inne.
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

"przez to ma wielkie złącze i bardzo dużą pasożytniczą pojemność, nawet większą od bramki tranzystora" jak by tak było, to byłby bardzo powolny i nie reagował by w ciągu p...n...sekund :lol:
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
Yuri
Administrator
Posty: 763
Rejestracja: 22 mar 2013, 20:12

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: Yuri »

Cóż, niskonapięciowe potrafią iść w nanofarady...
Zrzut ekranu.png
Ale widać czegoś nie wiem, przyznaję się bez bicia. :P
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

Dla najpopularniejszej naszym względem rodziny 1.5KExxx podaje się "- Fast response time:typically less than 1.0 ps from 0 Volts to Bv min " niezależnie od napięcia pracy TVS-a :)
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
Yuri
Administrator
Posty: 763
Rejestracja: 22 mar 2013, 20:12

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: Yuri »

To był właśnie wykres dla 1,5KE od Vishaya. :)

Nie mniej, nie potrafię odpowiedzieć na pytanie Mania-ca. Czy raczej - nie chcę ryzykować, że znów palnę głupotę. :roll:
grzegorzewskipl
Posty: 213
Rejestracja: 15 lip 2014, 00:39

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: grzegorzewskipl »

Yuri nie ryzykujesz to tracisz wiele :P

Ok koniec mojego teoretyzowania bez podstawowej wiedzy, bo zaraz stracę resztkę godności :lol:

Dziś naprawiłem pełny mostek sterujący do mojego sterownika trafa z RTG. Co prawda to pełny mostek, ale on steruje półmostkiem przez duże GDT więc potraktujmy go jak driver bramek typu 2x TC4422 i zobaczmy co się dzieje podczas pracy z wypełnieniem <50%

Zatem układ wygląda tak:

TL494+2x TC4422 > małe GDT > pełny mostek sterujący > duże GDT > półmostek na SKM semikrona

O elementach:

Małe GDT TN32 3E25, a duże to TX58 3E25

W mostku sterującym są WSZYSTKIE zabezpieczenia MOSów łącznie z transilami 1.5KE47. Tranzystory to IRFP044N, snubbery wima 4.7uF 100V, a kondensator odcinający składową stałą to wima 2.2uF 100V - duuuuży zapasik mocy :) rezystory bramkowe dobierałem eksperymentalnie, aż przebieg bramkowy był gładki niczym dupa niemowlaka i wyszło 27R (rezystory węglowe 2W).

Półmostek jest na SKM75GB063 z diodkami szybkimi na 40A 800V 35ns, a kondy w dzielniku to 2x wima 5uF 1000V

Każdy wrzucony teraz oscylogram zawiera dwie linie. Jedna z nich to ZAWSZE na każdym z oscylogramów jest przebiegiem na losowo wybranej bramce tranzystora w pełnym mostku sterującym od teraz zwanym PMS.
Druga linia to przebiegi w różnych punktach, które będę opisywał.

Pierwszy to wyjście z PMS bez obciążenia. Czasów martwych nie widać.
wyj_pel_most_bez_obc.JPG
Kolejny to wyjście z PMS obciążone rezystorem 150R
wyj_pel_most_obc_150r.JPG
Tutaj to samo co na poprzednim tylko przebieg na bramce tranzystora rozciągnięty amplitudą.
wyj_pel_most_obc_150r_amplituda.JPG
Przejdźmy zatem do obciążenia PMS bramkami klocka. Tutaj przebieg na bramce jednego z tranzystorów półmostka, który nie jest podłączony do zasilania.
wyj_pel_most_obc_tr_pol_most.JPG
Teraz podłączam półmostek do autotrafa i zaczyna się sypać, choć ogólnie nie ma biedy. Tutaj widzimy wyjście z półmostka bez obciążenia przy napięciu zasilania ok. 15VAC. Sygnał na bramce w PMS dostaje umiarkowanych oscylacji.
wyj_pol_most_bez_obc.JPG
A tutaj wyjście z półmostka obciążone rezystorem 75R 20W przy napięciu 90VAC.
wyj_pol_most_obc_75r.JPG
Dla mnie osobiście widać przede wszystkim, że na wyjściu z PMS musi być rezystor ponieważ bramki klocka to zbyt małe obciążenie, żeby sygnał miał w rzeczywistości wypełnienie narzucane poprzez driver. Manipulując wypełnieniem zaobserwowałem tylko przesunięcie fazy sygnału z półmostka, a rezystory żarzyły się cały czas tak samo :lol: więc zmiany współczynnika mocy raczej nie było :(

Za to żadnych potężnych oscylacji czy przedwczesnego załączania tranzystorów nie ma. Wszystkie elementy w PMS oraz półmostku zimne, że do czoła można przyłożyć.

--------------------------------------------------------------------------------------------------

Wieczorem wrzucę jeszcze jakieś oscylogramy tylko dajcie sugestie w jakiej konfiguracji.
Awatar użytkownika
Mania-C
Moderator
Posty: 820
Rejestracja: 2 paź 2010, 12:47

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: Mania-C »

Aj ludziska niema czego takiego jak głupia odpowiedz
podstawą jest to że TVS przy wzroście temperatur zwiększa znacznie (o paręnaście V) swoje napięcie przebicia , zaś zenerka zmniejsza swoje napięcie przebicia o 0.7V ten stan rzeczy nazywa się "junction effect"
Jest jeszcze coś takiego jak rozrzut napięć przebicia określa on napięcie przy jakim dioda zacznie działać i jest on opisany w skali paru V
Mają też relatywnie dużą pojemność jeśli a dość duża pojemność dla układów małej mocy może wcale nie być potrzebna po prostu będzie jak pojemność pasożytnicza
A w ramach ciekawostki dodam w jednej książce opisywali że TVS diody dużo większą odporność na impulsy elektromagnetyczne wywołane wybuchem nuklearnym :D
no ale chyba tego nie będzie z nas nikt testował (Parametr NEMP Pulse) :D

Edit 1
Jak widać na załączonych obrazkach na pełnym mostku sygnał jest piękny całość sypie się w w momencie gdy jest na pół mostku

Pozdrawiam
grzegorzewskipl
Posty: 213
Rejestracja: 15 lip 2014, 00:39

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: grzegorzewskipl »

Żeby wymusić na sygnale wyjściowym ze sterownika zmienne wypełnienie dałem w szereg z G-E rezystor 220R co było klapą bo się spalił. Dałem więc 440R i oto wyniki:

Na górze bramka sterownika, a na dole wyjście z półmostka mocy obciążonego żarówką. Wypełnienie zmieniane na oko po trochu.
1.JPG
2.JPG
3.JPG
4.JPG
Czyli klapa... i tu przypomnę, że bez podłączonego półmostka na wyjściu ze sterownika jest cud-miód (oscylogramy z poprzedniego posta).
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

Cześć wszystkiem ludziom :)

Więc jak już próbujemy wyciągać jakieś wnioski które mogą służyć w przyszłości należy to jakoś odpowiednio opisać. Grzesiek, na przyszłość opisuj lepiej zdjęcia oscylogramów bo trzeba długo się namyślać żeby było wiadomo co i jak... No więc ja zrobiłem na szybko trzy testy. Od początku jeszcze raz:

Pół mostek sterowany z GDT o zmiennych czasach martwych. Obciążenie dwa rezystory 100 Ohm drutowe, bardzo indukcyjne, połączone szeregowo i 100VDC na Pół mostku.
Najpierw sygnał sterujący i różnica z dodaną i bez dodanej diody shottky 1N5819 równolegle do rezystora bramkowego o wartości ok.16 Ohm Przebieg bramkowy mierzony za pomocą oscyloskopu, masa na dren, sygnał pobrany z bramki.


Pierwsze zdjęcie z diodą:
NTbramka1.jpg
Bez diody:
NTbramka2.jpg
Jak widać jest pewna różnica w drobnych szpilkach. Musicie mi uwierzyć że one nie wiele zmieniają jednak przebiegu wyjściowego w żaden sposób.

Przebiegi wyjściowe wypada podzielić na trzy, o małym, średnim i dużym wypełnieniu ;)
Przebiegi wyjściowe z obciążeniem 200 Ohm, różnią się od tych z pierwszej strony bo.. rezystory drutowe które zastosowałem są w sumie cewkami nawiniętymi drutem oporowym :)
obciązenie.jpg
Przebieg wyjściowy jest mierzony za pomocą oscyloskopu :lol: masa oscyloskopu między kondensatorowy dzielnik czyli na połączeniu dwóch kondensatorów pół mostka, a sygnał w miejscu łączenia dwóch tranzystorów.
NTwyjscie d.jpg
NTwyjscie s.jpg
NTwyjscie m.jpg
Pojawiły się dodatkowe oscylacje z powodu rezystorów. ale to nic...
Wyjście o dowolnym ustawionym czasie martwym ( nazwijmy to jakoś, wypełnienie nie pasuje, czas martwy jest trochę nazwą nie na miejscu, nazwijmy to martwoczasem wypełnienia :lol: ) Wyjście bez obciążenia dokładnie tak samo mierzone.. Tak, macie uwierzyć że podając sygnał sterujący o martwoczasie wypełnienia niskiej wartości tak jak w ostatnim zdjęciu....
NTwyjscie m.jpg
...wygląda tak, bez obciążenia:
NTbez obciążenia.jpg
Kombinując sprawdziłem ponownie dodanie elementów RC między DS tranzystorów MOSFET. Rezystor wunglowy 150 Ohm, kondensator 15nF na jeden mosfet, łączone szeregowo. Widać na obrazku niżej:
rc.jpg
To jest taki patent podkradziony ze spawarek. Mogę powiedzieć że próbowałem kiedyś różnych kombinacji RC typu kondensatory 2.2nF....15nF i podobnie z rezystorami które zawsze się spalały. Śmiało można powiedzieć że przy dobrym, fartownym dobraniu RC szpile i śmieci znikały. Ten moment jest tylko eksperymentalny żeby pokazać wam że taki zabieg jak dodanie pierwszych lepszych RC równolegle do mosfetów już daje takie duże zmiany.. RAZ NAWET TO DZIAŁAŁO NA PEŁNYM NAPIĘCIU 320VDC przez kilka minut, przestało bo jeden z rezystorów się przepalił :D
NTwyjscie d RC.jpg
NTwyjscie s RC.jpg
NTwyjscie m RC.jpg
Są różnice, nie okłamuję was, nie miało by to sensu :D Obciążenie, napięcie zasilania, częstotliwość pracy... NICZEGO nie zmieniałem. Jeszcze przebieg wyjściowy bez obciążenia:
NTbez obciążenia RC.jpg
Samo ponowne odpalenie pół mostka to był eksperyment pierwszy. Kolejny eksperyment to zmiany z diodami schottky, następny eksperyment to RC równolegle do mosfetów. Jeszcze kolejny eksperyment którego nie ma sensu zbytnio dokumentować... A sprawdzę na pewno ( relacja na żywo :lol: )

Więc wpięcie na wyjście pół mostka transformatora z 3C90 które jest dosyć wielkie i z pewnością pociągnie koło 2-4KW... Trafo, na wyjściu rezystor ten sam co wcześniej.
Pierwotne czyli wyjście mostka
NTwyjscie pierwotne trafo wtorne200ohm.jpg
Wtórne z obciążeniem
nt wrórne trafa.jpg
i podgląd na zabawki..
ntzabawki.jpg
I ten ostatni eksperyment przeprowadzony z dodatkowymi RC równolegle do DS mosfetów.. Bez RC sytuacja wracała, pojawiało się to samo co na pierwszych oscylogramach... Sam jestem zdziwiony, że zdjęcie przebiegu uzwojenia pierwotnego przedstawia nam całkiem ładny sygnał. Rezystory 150 Ohm w RC równoległym do DS już prawie przepalone, 5W sztuka/100V zasilania pół mostka, a pamiętajcie że te rezystory są szeregowo z kondensatorami.

Jakie wnioski ? Chyba trzeba poeksperymentować z dobraniem rezystorów, np. dać kilka równolegle by rozłożyć moc strat, obniżyć pojemność kondensatorów. Nie mam na to tranzystorów. Wole już zaprojektować pełny mostek. Lenistwo mi nie pozwala, a nie chcę pełnego mostka robić na pająka. Dlatego dzisiaj piszę w tym temacie, żeby nie było że nic nie robię :lol:
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

A co powiecie jeżeli taki pełny mostek:
NTTpełny mostek.jpg
Z i bez takiego kondensatora od składowej stałej:
NTTpełny mostek1.jpg
Daje taki przebieg :
NTTpełny mostek2.jpg
:?: :?: :?: :?: :?: :?:

Chyba trzeba jeszcze raz zobaczyć co z tym sterowaniem...
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
Mania-C
Moderator
Posty: 820
Rejestracja: 2 paź 2010, 12:47

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: Mania-C »

Slu zaczyna mnie dziwić ten problem proszę sprawdź co się stanie jak do każdej bramy na pająka dodasz taki układ

Pozdrawiam
Załączniki
fragment 2kW przetwornicy
fragment 2kW przetwornicy
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

Tyle że widzisz, tam jest inaczej zrealizowane GDT. Pewnie środkowy odczep leci do masy lub vzas sterownika. Pokaż jeszcze ten dalszy fragment to porozmawiamy :) No nie wydaje mi się że te dodatkowe elementy mogą coś zmienić ;)

Gadałem z kimś z forum kto chyba tu nie zagląda, albo nie lubi pisać na forum. Ponoć przyczyną jest sposób wyłączania i włączania tranzystorów, wszystkiemu winien schodek. Nawet pokazał mi przebieg wyjściowy, taki jak byśmy chcieli mieć o amplitudzie +320,0,-320V bez żadnych smieciów, czyli to do czego dążymy. Niby mam teraz dwa sterowniki scalone któe można by było pod to podłączyć tylko zasilania mi brakuje. Kombinuje, może coś uda się zdziałać
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

No więc zmieniłem sterowanie na dwa scalone separowane drivery, każdy z odseparowanym napięciem +20VDC i -10VDC. Oto przebiegi bramkowe. Poprawny jest ten z ostrymi zboczami, drugi przebieg jest zdjęty starą beznadziejną sondą :)
NTN bramki.jpg
Tak powinny wyglądać dwa przebiegi bramkowe. Rozsunąłem je wysokością żeby się nie myliło.
A tak wygląda wyjście z półmostka obciążonego rezystorem :
NTNwyjscie d.jpg
NTNwyjscie m.jpg
Jak widać da się z pół mostka wyciągnąć to co jest potrzebne :)

Więcej może napiszę jutro.
Sterowniki bramkowe... opiszę w odpowiednim temacie który już założyłem :)
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
Awatar użytkownika
slu_1982
Administrator
Posty: 560
Rejestracja: 5 kwie 2010, 17:49
Lokalizacja: Olsztyn

Re: GDT VS Czas martwy (VS wypełnienie ?!?)

Post autor: slu_1982 »

Nie wiem za bardzo jak napisać tu kolejną odpowiedź.

Mianowicie dowiedziałem się kilku rzeczy na temat efektu mullera i sterowania tranzystorów.

Naleźy koniecznie zapoznać się z tym dokumentem:

http://rohmfs.rohm.com/en/products/data ... ppli-e.pdf
" 7.2 Bridge arm short circuit by self turn-on "
Opis samego zjawiska, i kilka sposobów na usunięcie włączeń czyli dodanie RC równolegle. Wszystko pasuje. Jest wspomniane o ujemnym biasie dla wyłączania tranzystora.

http://www.cree.com/sitecore%20modules/ ... WRAN10.pdf
Trochę odnośnie samego biasu...


http://www.st.com/st-web-ui/static/acti ... 170577.pdf
I tu bardziej opisane sposoby radzenia sobie z włączeniami, dodanie dodatkowej diody w kierunku przewodzenia do bramki, dodanie pojemności.

No i każdy z was powinien zapoznać się z tymi dokumentami.

GDT i sposób sterowania, taki jak próbowałem uzyskać w tym temacie jest OPATENTOWANY tylko zerknijcie:

http://www.google.com/patents/US5481219

Pozdrawiam :D
Na Gadu-Gadu nie udzielam żadnych porad związanych z elektroniką ani chemią.
Do tego służy forum !!
ODPOWIEDZ