Wiesz Slu, ja nie mogę byle gdzie robić zakupów, a jedyna polska firma, która była w stanie zaoferować patchcord wraz z nadajnikami i odbiornikami miała diametralnie różne ceny od tych, które podajesz. Tam 3m na ST kosztowało coś kolo 100zł i komplet na FC wyszedł ponad dwa razy taniej. Tak w ogóle gdzie ty kupiłeś tak tanio patchcord na ST?
Co do AD790 DIP8, popatrz na stany magazynowe, które świecą pustkami od miesięcy. A na sprowadzenie musiałbym czekać coś koło miesiąca.

Bo stany magazynowe AD790 zawsze świecą pustkami bo to scalak drogi i mało popularny wiec nikt nie zamraża kasy na magazynie. ktoś chce kupić to zamawiają na magazyn i wysyłają - polska niestety. Jeśli chodzi o schodki - lepiej jak by ich nie było. Możesz spróbować się pozbyć ale zrób jeszcze jedną symulację - daj opornik bramkowy na poziomie kilku R i niech zasymuluje przebieg bramkowy. Jeżeli nie będzie dzwona to całą symulację można włożyć między bajki bo w rzeczywistości zawsze będzie kompromis pomiędzy schodkiem a wielkością dzwona na bramce. Failsafe w intku ma sens jeżeli intek jest do jednej tesli w każdym innym wypadku zabezpieczenie musi być w tesli bo dla każdej cewki potrzeba inny próg zadziałania.

Jeszcze bardziej zbliżyłem model z rzeczywistością więc wrzucam kolejne przebiegi bramkowe:





We wszystkich symulacjach dla GDT założyłem indukcyjność rozproszenia Lδ = 150 nH. Jak widać przy Rg = 2 ohmy bez zenerek mamy porządne dzwony. Dodanie zenerek trochę łagodzi sytuację ale nadal nie wygląda to za dobrze.
Przy Rg = 10 ohm nadal mamy małe podbicie u góry.
Przy Rg = 40 ohm na bramkach przebieg całkiem ładny ale dostajemy problem schodków na wyjściu mostka i bardziej łagodnych zboczy.
Ostatni wykres jest zrobiony dla szybszej diody ___ (tej która jest równolegle z rezystorem bramkowym ale coś nie mogę sobie przypomnieć jak się nazywała), jak widać im szybsza tym mniejsza dolna szpilka.

Wniosek z tego taki, że im lepsze zrobimy GDT (im mniejsza jego Lδ) tym szybciej możemy załączać tranzystory bez wprowadzania niepotrzebnych dzwonków. Nasunął mi się więc taki pomysł, że można zrobić oddzielny driver dla każdego IGBT złożony z GDT na rdzeniu kubkowym (zapewniają bardzo duże sprzężenie), do tego jakiś driver i wszystko umieszczone jak najbliżej IGBT.
Pozostaje jeszcze kwestia, jaka jest rzeczywista Lδ mojego GDT? Jak zwolni mi się trochę czasu to może coś pomierzę.

A ja zapytam jaki powinien być czas narastania i opadania przebiegu na bramkach IGBT ?

To jest bardzo trudne pytanie na które nie łatwo odpowiedzieć. Generalnie to zależy od samych IGBT i powinny być takie czasy żeby z jednej strony jak najszybciej przełączyć mostek z drugiej nie dopuścić do dzwonów na bramkach z trzeciej żeby uniknąć zwarć skrośnych do tego należy cały czas mieć na uwadze straty. Zawsze to będzie kompromis pomiędzy tymi czterema sprawami. Ja stosuję zwykle wolniejsze włączanie skutkiem czego mam schodek. Po prostu zauważyłem ze lepiej siedzieć w obszarze nieco wolniejszego przełączania i większych strat na tranzystorach które i tak przełączają się praktycznie bez prądowo co już mocno ogranicza straty niż wpaść w obszar zwarć skrośnych które uważam za większe zło.

Przemieliłem trochę symulacji i prawdę mówiąc przy IGBT zawsze popłyną prądy skrośne, mniejsze lub większe w zależności od czasów narastania i opadania, z których te pierwsze zależą głównie od rezystora bramkowego. Mam tylko pytanie, jak w mostku DRki można jakoś sensownie zmierzyć poziom tych prądów skrośnych? czym objawia się problem zbyt dużych zwarć skrośnych?

Prawdopodobnie jeśli jest duże zwarcie skrośne to wyjdzie szpilka której nie będzie się dało skasować. Druga sprawa to taka że całość zacznie ciągnąć więcej prądu niż trzeba. Trzecia to taka że zaczną się grzać tranzystory. Jakieś zwarcie skrośne będzie zawsze.

Myślę właśnie nad jakąś metodą odpowiedniego doboru rezystorów bramkowych dla danych IGBT, bo nie możemy wszystkiego wrzucać do jednego worka i zawsze dążyć do uzyskania podobnie wygładzonych przebiegów na bramkach.
Wg mnie najprościej można to zrobić poprzez pomiar prądu pobieranego przez mostek (jakimś dobrym miernikiem TRMS, oczywiście bez wtórnego) w zależności od rezystorów bramkowych, zmniejszamy rezystancję na bramkach tak długo do puki nie dostaniemy nagłego wzrostu prądu lub dzwona na bramkach.

Nie dostaniesz nagłego wzrostu poboru prądu to raz. Po drugie jeśli mierzyć to bez pierwotnego na sztywnym generatorze oscyloskopem spadek napięcia na oporniku wpietym szeregowo między elektrolita a mostek. Dlaczego nie można dążyć do podobnie wyglądających przebiegów bramkowych bo tej sentencji nie rozumiem.

Bardzo podobnie do tego co opisujesz wyglądał mój poprzedni pomysł, ale po kilku symulacjach trochę zmieniłem koncepcje. Czas opadania IGBT bardzo silnie zależy od prądu kolektora przez co na kompletnie nieobciążonym mostku możesz mieć spore prądy skrośne, a po podpięciu pierwotnego mogą być kilkukrotnie mniejsze. Mimo tego iż przełączenie tranzystorów, a raczej mostka następuje w zerze prądu, to zaraz po przekroczeniu zera prąd bardzo silnie narasta co powoduje znacznie szybsze wyjście tranzystora z nasycenia. Takie wnioski mogę wyciągnąć z symulacji, nie wiem jak to wyjdzie w praktyce bo na razie nie mam okazji pobawić się mostkiem. Myślę, że spróbować można, tym bardziej, że nie wymaga to żadnych ingerencji w mostek poza zmiana rezystorów bramkowych.
Co do ostatniego zdania, prosty przykład, weźmy sobie SMK300 i CM300, przy tym samym poziomie prądów skrośnych (i tej samej częstotliwości pracy) SKMy możemy włączać znacznie szybciej, zbocze narastające na bramce może być znacznie bardziej strome.
Aha, jeszcze jedno, prądy skrośne zależą nieliniowo od rezystancji oporników bramkowych, choć nie jest to jakaś super silna nieliniowość, w sumie zależy też jak na to patrzeć, a już najlepiej sprawdzić to na realnym mostku.

Prąd kolektora w momencie przełączania mostka w drsstc to ZERO A około Po to masz predkiter żeby przełączanie było dokładnie w zerach.

No właśnie mniej więcej zero, przebieg na mostku może przecinać się z prądem w zerze ale to nie znaczy, że przełączenie samych tranzystorów następuje w zerze (w grę wchodzi tutaj ten "naturalny deadtime"), gdyby było inaczej to nie byłoby tego "schodka", o którym pisaliśmy trochę wcześniej. Być może ten niezerowy prąd kolektora w rzeczywistości będzie miał marginalne znaczenie na prąd skrośny, same symulacje tutaj nie wystarczą. Postaram się kiedyś zbadać to w praktyce, na razie spróbuje pomierzyć prąd pobierany przez mostek z pierwotnym w zależności od rezystorów bramkowych, zobaczymy czy coś ciekawego z tego wyjdzie.

Zająłem się dzisiaj pomiarami zależności prądu pobieranego przez mostek od rezystancji rezystorów bramkowych. W sumie zmiany prądu przy schodzeniu z rezystancją z poziomu 10 ohm do 3,3 ohm były w granicach błędu pomiaru. Przy 6,8 ohm schodek przy przechodzeniu napięcia przez zero był już mało zauważalny, przy 3,3 ohm pojawiły się już objawy zwarć skrośnych, czyli w moim przypadku szpilki na wyjściu mostka, których nie dało się skasować predikterem. Co ciekawe schodek pozostał, minimalny ale jednak.
Przebiegi na bramkach IGBT nawet przy 3,3 ohm były całkiem przyzwoite, brak jakiś niepotrzebnych oscylacji itd... Ostatecznie pozostałem przy rezystorach 5,6 ohm, zbocza znacznie lepsze i szpilek też niema.
Jutro może zarzucę jakimiś przebiegami i biorę się za uruchomienie DRki na pełnej mocy (3F).

I po raz kolejny okazuje się że zaprzątanie sobie głowy symulacjami niema większego sensu w przypadku tesli. Zawsze będę powtarzał że to jest zbyt złożony obiekt do symulacji a ogólnodostępne oprogramowanie do symulacji jest niespecjalnie dokładne i wszelkie wywody na ten temat będę traktował z bardzo dużym dystansem. No ale zobaczymy jak ci to będzie działać na 540V w mostku.

Nie takie pierdoły się symuluje jak tesle, po prostu w przypadku tesli jest problem z modelem wyładowania, nad którym pracuje paru gości (teraz nie znajdę linka). W naszym przypadku mało kto ma zacięcie naukowe jak i wiedzę i nie ma co liczyć na odpowiednie podejście do problemu.

Jak na razie to wszyscy "symulatorzy" na tym forum mają gorsze wyniki od empiryków. Że ktoś sobie pracuje nad modelem - bardzo fajnie niech pracuje. Może za kilka ... naście lat będzie on na tyle dokładny że przyda się nie tylko do tesli a np. do badania plazmy. Nie mniej jednak na dzień dzisiejszy tesla symulowana działa całkiem inaczej niż tesla zbudowana. Różnica miedzy ogólnodostępnym softem do symulacji a softem do symulacji który się do czegoś nadaje jest z grubsza taka sama jak między grą "Symulator lotu F16" a symulatorem F16 używanym do szkolenia pilotów ... Niby tu i tu można sobie polatać w gerce ale powodzenia w lataniu prawdziwym F16 po zaliczeniu tego pierwszego

Dotarły do mnie screeny z ostatnich pomiarów więc najwyższa pora, żeby co nieco tutaj wrzucić.
Na początek może jeszcze trochę na temat symulacji. Zagadnienie symulacji DRki bez uzwojenia wtórnego sprowadza się głównie do odpowiedniego modelowania samego mostka tranzystorowego oraz GDT. Fakt, że aktualny model nie zachowuje się tak jak model rzeczywisty kompletnie mnie nie dziwi, ponieważ na tym właśnie polega budowa dokładnego modelu symulacyjnego. Mamy model rzeczywisty, wykonujemy pomiary i dopiero na podstawie wyników pomiarów wprowadzamy odpowiednie modyfikacje, starając się maksymalnie zbliżyć zachowanie obu modeli. Dopiero wtedy mając model wirtualny możemy nieporównywalnie mniejszym nakładem pracy sprawdzić pewne zależności i zjawiska zachodzące w rzeczywistej tesli, na podstawie których przeprowadzamy kolejne doświadczenia na modelu rzeczywistym. W zupełności nie zgodzę się, że zaprzątanie sobie głowy symulacjami kompletnie nie ma sensu w przypadku DRki. Mój model zachowuje się dokładnie tak samo jak moja DRka bez wtórnego lecz z określonym przybliżeniem, a to co chciałem zbadać jest pewnym "szczegółem" na który w dużej mierze ma wpływ to, na co ja nie mam wpływu (a przynajmniej na razie) czyli model samego tranzystora IGBT.
Po dodaniu do naszego zagadnienia uzwojenia wtórnego sprawa bardzo się komplikuje i tutaj sam zacząłbym się zastanawiać nad sensem robienia takiej symulacji, ponieważ trzeba dysponować bardzo dużą wiedzą i możliwościami laboratoryjnymi aby odpowiednio podejść do sprawy, a ponadto gotowy model nie miałby jakiegoś praktycznego zastosowania, jednym słowem sztuka dla sztuki. Ale w końcu na tym też polega nauka, aby badać i odkrywać to co nie znane, natomiast wyniki naszych badań wcale nie muszą mieć praktycznego zastosowania.

Dobra, może przejdę już do konkretów... jeden ważny wniosek płynie z moich ostatnich pomiarów. Zmieniając rezystory bramkowe sprawdzałem także zachowanie przebiegu na wyjściu mostka przy zmianie napięcia zasilania. Efekt był taki, że przy 5,6 ohm na bramkach szpilki od zwarć skrośnych, których nie da się skasować predikterem też są, ale znikają wraz ze wzrostem napięcia. Efekt ten zachodzi do pewnej granicy rezystancji, poniżej której nawet po podbiciu napięcia szpilki nadal pozostaną, dlatego eksperymenty z wychwytywaniem zwarć skrośnych mają tylko sens przy docelowym napięciu zasilania mostka.

Wspominałem też o próbach na 560 VDC zasilania, same testy bez wtórnego poszły całkiem sprawnie, ale niestety nie zdążyłem już uruchomić DRki z wtórnym, niestety zabawa z DRka na uczelni to nie to samo co w domku, gdzie dostęp do niej masz prawie w każdej chwili, może coś pod koniec tego tygodnia dam rady zdziałać.

Aha, no i może przejdę do tego o czym miał być ten post czyli screeny przebiegów:

No i z grubsza tak to powinno wyglądać. Czemu nie możesz poniżej pewnej granicy oporu na bramkach stracić szpilek ? To proste - włazisz w obszar zwarć skrośnych. Szpilka na bramce to jedno a szpilka na wyjściu mostka to już całkiem co innego i tom pierwszą bym się aż tak bardzo nie martwił acz jak ona się pojawia to najczęściej dlatego ze już za szybko włączasz. Inna kwestia że 4 cykle przy 560V i twojej impedancji pierwotnego to już będzie pewnie ponad 1.5kA

U mnie szpili na bramkach nie ma nawet przy 2 ohm na bramce Jak robiłem testy bez wtórnego to po 2 cyklach miałem już jakieś 1200 A, ciekawe jak będzie z wtórnym. Myślę że 4 cykle to bedzie max, poczekamy, zobaczymy.

Z wtórnym będzie narastało wolniej. Jeżeli dobrze zestroisz to jest szansa że będziesz miał 1500A w 3 cykle.